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更多>>入行設(shè)計(jì)工程須知晶振定義
來源：http://www.jqhs.com.cn 作者：康比電子 2019年01月02
晶振作為在電子產(chǎn)品以及新興行業(yè)的智能化科技等一系列的重大功臣,在每個(gè)產(chǎn)品中淋漓盡致的發(fā)揮著其功能,雖不是主要,卻是無法缺少的電子元件,在選用其元件時(shí)需清楚的了解你所需要提供的性能,了解其參數(shù)才能更好給產(chǎn)品發(fā)揮性能.以下由康比電子晶振廠家簡述關(guān)于晶振的一些定義.
石英晶體振蕩器
一種定時(shí)裝置,由石英晶振和振蕩電路組成,提供特定參考頻率的輸出波形.
VCXO(壓控晶體振蕩器)
一種振蕩器,其輸出頻率隨振蕩器控制引腳的電壓變化而變化.
TXCO(溫度補(bǔ)償晶體振蕩器)
一種調(diào)節(jié)溫度變化頻率的振蕩器,通常周期性地對校準(zhǔn)頻率進(jìn)行外部調(diào)整.這是為了溫補(bǔ)晶振補(bǔ)償晶體隨時(shí)間的老化.
OCXO(烤箱控制晶體振蕩器)
一種使用烤箱穩(wěn)定頻率變化的石英晶體振蕩器.
標(biāo)稱頻率(或中心頻率)
振蕩器的指定參考頻率,通常以兆赫茲和千赫茲為單位.
頻率穩(wěn)定性
與一組操作條件相關(guān)的中心頻率的頻率偏差量,以百萬分率(ppm)表示.這些條件包括:工作溫度范圍,電源電壓和輸出負(fù)載.
頻率容差
貼片晶振允許的偏差,與參考溫度下的標(biāo)稱頻率(通常為25°C)
工作溫度范圍
滿足規(guī)格特性的溫度范圍.這需要仔細(xì)說明,因?yàn)樗鼤绊懗杀?
存儲溫度范圍
溫度范圍,可以保持放電狀態(tài)的規(guī)格特性(無電壓,電流或功率輸入).暴露于該溫度以上的溫度可能導(dǎo)致特性退化或破壞.
頻率老化
在指定條件下運(yùn)行指定時(shí)間長度時(shí)的頻率漂移量.
邏輯層次
定義為Ouptut電壓邏輯高電平或"邏輯1"和輸出電壓邏輯低電平或"邏輯0"電壓"0"電平(最大值):+0.4VDCTTL,+0.5VDCHCMOS用于Vdd=5VDC(Vdd:電源)電壓)電壓"1"電平(最小):+2.5VDCTTL,+4.5VDCHCMOS,Vdd=5VDC
三態(tài)輸出
具有此功能的石英晶振振蕩器允許輸出進(jìn)入高阻態(tài).通過將邏輯控制電壓施加到振蕩器的引腳1來激活該特征.
電源電壓(或輸入電壓)
振蕩器工作所需的直流輸入電壓.目前通常使用5VDC,其中3.3VDC用于便攜式設(shè)備.
電源電流(或輸入電流)
振蕩器從電源消耗的電流量,通常以毫安為單位.
上升/下降時(shí)間
晶振上升時(shí)間定義為從輸出邏輯低到輸出邏輯高的轉(zhuǎn)換時(shí)間.下降時(shí)間定義為從輸出邏輯高電平到輸出邏輯低電平的轉(zhuǎn)換時(shí)間.
占空比(或?qū)ΨQ)
輸出波形均勻性的度量.全周期和半周期的比率.對于CMOS,負(fù)載額定值為1/2VDC,TTL負(fù)載額定值為1.4VDC.
拉動(dòng)VCXO的范圍
參考條件下VCXO的輸出頻率可以通過外部直流控制電壓改變的標(biāo)稱頻率范圍,以ppm表示.
VCXO線性
定義為輸出頻率與最佳擬合直線控制電壓的百分比變化.
啟動(dòng)時(shí)間
從有源晶振振蕩器上電到振蕩器達(dá)到穩(wěn)定振蕩的具體時(shí)間.
輸出負(fù)載
振蕩器驅(qū)動(dòng)其他設(shè)備或風(fēng)扇的能力.TTL器件以可驅(qū)動(dòng)的門數(shù)指定.CMOS輸出以pF指定.
石英晶體振蕩器
一種定時(shí)裝置,由石英晶振和振蕩電路組成,提供特定參考頻率的輸出波形.
VCXO(壓控晶體振蕩器)
一種振蕩器,其輸出頻率隨振蕩器控制引腳的電壓變化而變化.
TXCO(溫度補(bǔ)償晶體振蕩器)
一種調(diào)節(jié)溫度變化頻率的振蕩器,通常周期性地對校準(zhǔn)頻率進(jìn)行外部調(diào)整.這是為了溫補(bǔ)晶振補(bǔ)償晶體隨時(shí)間的老化.
OCXO(烤箱控制晶體振蕩器)
一種使用烤箱穩(wěn)定頻率變化的石英晶體振蕩器.
標(biāo)稱頻率(或中心頻率)
振蕩器的指定參考頻率,通常以兆赫茲和千赫茲為單位.
頻率穩(wěn)定性
與一組操作條件相關(guān)的中心頻率的頻率偏差量,以百萬分率(ppm)表示.這些條件包括:工作溫度范圍,電源電壓和輸出負(fù)載.
頻率容差
貼片晶振允許的偏差,與參考溫度下的標(biāo)稱頻率(通常為25°C)
滿足規(guī)格特性的溫度范圍.這需要仔細(xì)說明,因?yàn)樗鼤绊懗杀?
存儲溫度范圍
溫度范圍,可以保持放電狀態(tài)的規(guī)格特性(無電壓,電流或功率輸入).暴露于該溫度以上的溫度可能導(dǎo)致特性退化或破壞.
頻率老化
在指定條件下運(yùn)行指定時(shí)間長度時(shí)的頻率漂移量.
邏輯層次
定義為Ouptut電壓邏輯高電平或"邏輯1"和輸出電壓邏輯低電平或"邏輯0"電壓"0"電平(最大值):+0.4VDCTTL,+0.5VDCHCMOS用于Vdd=5VDC(Vdd:電源)電壓)電壓"1"電平(最小):+2.5VDCTTL,+4.5VDCHCMOS,Vdd=5VDC
三態(tài)輸出
具有此功能的石英晶振振蕩器允許輸出進(jìn)入高阻態(tài).通過將邏輯控制電壓施加到振蕩器的引腳1來激活該特征.
電源電壓(或輸入電壓)
振蕩器工作所需的直流輸入電壓.目前通常使用5VDC,其中3.3VDC用于便攜式設(shè)備.
電源電流(或輸入電流)
振蕩器從電源消耗的電流量,通常以毫安為單位.
上升/下降時(shí)間
晶振上升時(shí)間定義為從輸出邏輯低到輸出邏輯高的轉(zhuǎn)換時(shí)間.下降時(shí)間定義為從輸出邏輯高電平到輸出邏輯低電平的轉(zhuǎn)換時(shí)間.
占空比(或?qū)ΨQ)
輸出波形均勻性的度量.全周期和半周期的比率.對于CMOS,負(fù)載額定值為1/2VDC,TTL負(fù)載額定值為1.4VDC.
拉動(dòng)VCXO的范圍
參考條件下VCXO的輸出頻率可以通過外部直流控制電壓改變的標(biāo)稱頻率范圍,以ppm表示.
VCXO線性
定義為輸出頻率與最佳擬合直線控制電壓的百分比變化.
啟動(dòng)時(shí)間
從有源晶振振蕩器上電到振蕩器達(dá)到穩(wěn)定振蕩的具體時(shí)間.
輸出負(fù)載
振蕩器驅(qū)動(dòng)其他設(shè)備或風(fēng)扇的能力.TTL器件以可驅(qū)動(dòng)的門數(shù)指定.CMOS輸出以pF指定.
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