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- 產(chǎn)品型號：98155162
- 頻率：1~110MHZ
- 尺寸：2.9*2.8mm
- 產(chǎn)品介紹：與普通石英晶振,石英晶體,石英晶體振蕩器相比,SiTime的MEMS振蕩器提供了更高的性能.由于石英設(shè)備針對特定的參數(shù)進行了優(yōu)化,因此無法提供基于內(nèi)存的解決方案提供的...
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SiTime晶振,石英晶振,SiT2001B晶振
SiTime晶振,石英晶振,SiT2001B晶振,普通石英晶振,石英晶體,石英晶體振蕩器相比,SiTime的MEMS振蕩器提供了更高的性能.由于石英設(shè)備針對特定的參數(shù)進行了優(yōu)化,因此無法提供基于內(nèi)存的解決方案提供的組合性能和特性.
在MEMS(微機電系統(tǒng))技術(shù),模擬CMOS電路設(shè)計和開發(fā),以及成本效益的裝配和測試中,SiTime晶振公司具有深厚的技術(shù)專長.這些專業(yè)技能的結(jié)合,都是在SiTime內(nèi)部進行的,
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| 項目 | 符號 | SiT2001B晶振規(guī)格說明 | 條件 |
| 輸出頻率范圍 | f0 | 1 MHz to 110 MHz | 請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
| 電源電壓 | VCC | 1.60 V to 3.63 V | 請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
| 儲存溫度 | T_stg | -55℃ to +125℃ | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | G: -40℃ to +85℃ | 請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.jqhs.com.cn |
| H: -40℃ to +105℃ | |||
| J: -40℃ to +125℃ | |||
| 頻率穩(wěn)定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 | |
| L: ±100 × 10-6 | |||
| T: ±150 × 10-6 | |||
| 功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 無負載條件、最大工作頻率 |
| 待機電流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND |
| 占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
| 輸出電壓 | VOH | VCC-0.4V Min. | |
| VOL | 0.4 V Max. | ||
| 輸出負載條件 | L_CMOS | 15 pF Max. | |
| 輸入電壓 | VIH | 80% VCC Max. | ST 終端 |
| VIL | 20 % VCC Max. | ||
| 上升/下降時間 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
| 振蕩啟動時間 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % |
| 頻率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25 ℃, 初年度,第一年 |
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SiTime晶振所有產(chǎn)品的共同點
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射。
3：化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4：粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。）
5：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6：靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。SiTime晶振,石英晶振,SiT2001B晶振
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